IXTP32P20T厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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搜索 IXTP32P20T 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP32P20T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 32A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥73.165343	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchP™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 185 nC 10 V Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IXTP32P20T Littelfuse(力特) 授权代理品牌	IXTP32P20T LITTELFUSE 下载数据手册未分类	+10：￥64.579883 +100：￥53.470935 +500：￥46.559865 +1000：￥40.962435	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP32P20T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 32A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥147.172872 +50：￥82.811513 +100：￥76.141308 +500：￥68.335334	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchP™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 185 nC 10 V Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP32P20T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 32A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥149.743526 +10：￥131.502344 +50：￥89.713453 +100：￥82.748638 +1000：￥80.75869	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchP™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 130 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 185 nC 10 V Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP32P20T Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 下载数据手册未分类	+300：￥91.241313 +500：￥90.328126 +1000：￥89.414939 +2000：￥88.532708 +2500：￥87.634998	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP32P20T Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFETs TenchP Power MOSFET 下载数据手册未分类	+50：￥59.781251 +100：￥54.53924 +250：￥51.639402 +500：￥48.628035	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP32P20T Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	MOSFET, 32A, 200V, 300W, TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥78.076399 +5：￥73.935884 +10：￥69.795369 +50：￥62.476943 +100：￥55.14533	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP32P20T Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	MOSFET, 32A, 200V, 300W, TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥86.077357 +5：￥81.51815 +10：￥76.946205 +50：￥50.991823 +100：￥50.507886	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTP32P20T参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	TrenchP™
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	130 毫欧 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	185 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	14500 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）