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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFA3N120 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1050 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（IXFA）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFA3N120 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥56.300151 +10：￥50.885585 +100：￥42.127028 +500：￥36.68366 +1000：￥31.950308	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1050 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（IXFA）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFA3N120 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥76.024581	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1050 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（IXFA）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFA3N120 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 下载数据手册未分类	+1：￥142.115395 +10：￥132.994803 +50：￥112.929503 +100：￥108.949608 +250：￥82.251151	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1050 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（IXFA）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFA3N120 Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥64.418379 +300：￥63.783792	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFA3N120 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2KV, 3A, TO-263 下载数据手册未分类	+1：￥81.349376 +5：￥78.749404 +10：￥76.136497 +50：￥64.662989 +100：￥62.373461	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFA3N120 Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Days to ship 10 下载数据手册未分类	+1：￥50.19637	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFA3N120 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 1.2KV, 3A, TO-263 下载数据手册未分类	+1：￥91.75765 +5：￥88.818747 +10：￥85.867066 +50：￥72.910339 +100：￥70.341994	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFA3N120参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.5 欧姆 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 1.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	39 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1050 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	200W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-263（IXFA）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）