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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP56N30X3M IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 56A TO220 下载数据手册未分类	+10：￥87.978352 +50：￥83.829521 +100：￥72.872071 +500：￥63.403998 +1000：￥53.935926	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3750 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 36W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 隔离的标片封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IXFP56N30X3M Littelfuse(力特) 授权代理品牌	IXFP56N30X3M LITTELFUSE 下载数据手册未分类	+1：￥71.985996 +10：￥62.115497 +100：￥50.61362 +500：￥44.074813 +1000：￥38.782049	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP56N30X3M IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 56A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥127.657163 +10：￥115.323475 +100：￥95.478082 +500：￥83.141605 +1000：￥73.145046	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3750 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 36W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 隔离的标片封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP56N30X3M IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 300V 56A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥143.442027 +10：￥125.200844 +50：￥102.813938 +100：￥89.879282	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X3 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 300 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3750 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 36W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 隔离的标片封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP56N30X3M 授权代理品牌	Power MOSFET 下载数据手册未分类	+300：￥52.755884	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP56N30X3M Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 300V, 56A, TO-220 下载数据手册未分类	+1：￥79.113533 +10：￥67.834006 +50：￥67.742516 +100：￥56.449919 +250：￥50.803619	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFP56N30X3M参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Ultra X3
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	27 毫欧 28A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	56 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3750 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	36W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220 隔离的标片
封装/外壳:	TO-220-3 全封装，隔离接片
温度:	-55°C # 150°C（TJ）