IRFHM831TRPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHM831TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥7.3404 +100：￥5.241024 +300：￥4.00752 +500：￥3.402864 +1000：￥3.061008	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.8 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1050 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），27W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHM831TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.995774	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.8 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1050 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），27W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFHM831TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+121：￥0.792138 +300：￥0.757636 +500：￥0.723216 +1000：￥0.688797	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.8 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1050 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），27W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFHM831TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+121：￥1.368811 +300：￥1.309192 +500：￥1.249715 +1000：￥1.190239	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.8 毫欧 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1050 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），27W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFHM831TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+121：￥1.368811 +300：￥1.309192 +500：￥1.249715 +1000：￥1.190239	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PQFN (3x3)
IRFHM831TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+61：￥2.737478 +100：￥2.623423 +300：￥2.509367 +500：￥2.395168 +1000：￥2.281256	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PQFN (3x3)

IRFHM831TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.8 毫欧 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	16 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1050 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），27W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PQFN（3x3）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）