IRF7665S2TRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7665S2TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.551619	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta），14.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 8.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 515 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta），30W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET SB 封装/外壳： DirectFET™ 等距 SB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF7665S2TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+32：￥14.521829 +100：￥13.890453 +300：￥12.6277	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta），14.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 8.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 515 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta），30W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET SB 封装/外壳： DirectFET™ 等距 SB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7665S2TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+32：￥25.093673 +100：￥24.002656 +300：￥21.820622	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta），14.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 8.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 515 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta），30W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET SB 封装/外壳： DirectFET™ 等距 SB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF7665S2TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric SB 供应商器件封装： DIRECTFET SB
IRF7665S2TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric SB 供应商器件封装： DIRECTFET SB

Mouser

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	IRF7665S2TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta），14.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 8.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 515 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta），30W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET SB 封装/外壳： DirectFET™ 等距 SB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRF7665S2TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.1A（Ta），14.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	62 毫欧 8.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	13 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	515 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.4W（Ta），30W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DIRECTFET SB
封装/外壳:	DirectFET™ 等距 SB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）