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	IRF740ASPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥20.897668 +100：￥14.132195 +500：￥10.373693 +1000：￥7.517125 +2000：￥7.141299	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1030 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF740ASPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.818307 +10：￥7.987834 +30：￥7.474253 +100：￥6.938816	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1030 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF740ASPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK 下载数据手册未分类	+10：￥26.81831 +100：￥22.078911 +500：￥18.515509 +1000：￥16.023528	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1030 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF740ASPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF740ASPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥12.862894 +300：￥12.32694 +1600：￥11.790987 +3200：￥11.576605 +6400：￥10.719078	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF740ASPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF740ASPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥11.721318 +200：￥11.287179 +440：￥11.026739 +990：￥10.853147 +1640：￥10.679449	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF740ASPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK 下载数据手册未分类	+10：￥28.293947 +100：￥22.795167 +500：￥18.696053 +1000：￥15.396762 +2000：￥14.396953	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1030 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF740ASPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.977251 +10：￥9.989378 +500：￥9.076706 +1000：￥8.401579	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1030 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF740ASPBF 授权代理品牌	IRF740ASPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥12.243968 +100：￥11.937892 +500：￥11.223638 +800：￥10.713472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF740ASPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+7：￥13.571712 +100：￥11.518848	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1030 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF740ASPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.817157 +50：￥12.694218 +100：￥10.444386 +500：￥8.837742 +1000：￥7.498661	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1030 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF740ASPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	550 毫欧 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	36 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1030 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.1W（Ta），125W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D²PAK（TO-263）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF740ASPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK 下载数据手册未分类	+10：￥26.81831 +100：￥22.078911 +500：￥18.515509 +1000：￥16.023528	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1030 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF740ASPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF740ASPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥12.862894 +300：￥12.32694 +1600：￥11.790987 +3200：￥11.576605 +6400：￥10.719078	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF740ASPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF740ASPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥11.721318 +200：￥11.287179 +440：￥11.026739 +990：￥10.853147 +1640：￥10.679449	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF740ASPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK 下载数据手册未分类	+10：￥28.293947 +100：￥22.795167 +500：￥18.696053 +1000：￥15.396762 +2000：￥14.396953	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1030 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF740ASPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.977251 +10：￥9.989378 +500：￥9.076706 +1000：￥8.401579	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1030 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF740ASPBF 授权代理品牌	IRF740ASPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥12.243968 +100：￥11.937892 +500：￥11.223638 +800：￥10.713472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数