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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP150NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.838023 +10：￥3.520834 +30：￥3.457394 +100：￥3.267085	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36mOhm 23A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IRFP150NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.696048 +5：￥17.673264 +10：￥14.554512 +15：￥11.851488 +25：￥9.040032	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36mOhm 23A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IRFP150NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.45468	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36mOhm 23A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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IRFP150NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.40553	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36mOhm 23A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRFP150NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+400：￥3.959078 +1200：￥3.893093 +2000：￥3.794116 +4000：￥3.728131	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36mOhm 23A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRFP150NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥4.775204 +300：￥4.558149 +500：￥4.471326 +1000：￥4.341094	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36mOhm 23A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRFP150NPBF 授权代理品牌	IRFP150NPBF 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+25：￥5.967788 +100：￥5.623858 +200：￥5.191949 +500：￥4.765943 +1000：￥4.724499	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFP150NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+400：￥5.09355 +1200：￥4.862025 +2000：￥4.769415 +4000：￥4.6305	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36mOhm 23A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRFP150NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.488532 +10：￥4.57586 +200：￥4.225794 +400：￥3.925738	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36mOhm 23A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRFP150NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.325451 +10：￥6.976659 +50：￥6.463599 +100：￥5.860361 +500：￥5.36918	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36mOhm 23A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

IRFP150NPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	42A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	36mOhm 23A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	110 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1900 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	160W (Tc)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	TO-247AC
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C (TJ)

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFP150NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.40553	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36mOhm 23A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRFP150NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+400：￥3.959078 +1200：￥3.893093 +2000：￥3.794116 +4000：￥3.728131	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36mOhm 23A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRFP150NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥4.775204 +300：￥4.558149 +500：￥4.471326 +1000：￥4.341094	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36mOhm 23A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRFP150NPBF 授权代理品牌	IRFP150NPBF 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+25：￥5.967788 +100：￥5.623858 +200：￥5.191949 +500：￥4.765943 +1000：￥4.724499	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFP150NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+400：￥5.09355 +1200：￥4.862025 +2000：￥4.769415 +4000：￥4.6305	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36mOhm 23A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRFP150NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.488532 +10：￥4.57586 +200：￥4.225794 +400：￥3.925738	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36mOhm 23A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IRFP150NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.325451 +10：￥6.976659 +50：￥6.463599 +100：￥5.860361 +500：￥5.36918	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36mOhm 23A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 160W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)