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搜索 IRFZ48RPBF 共 9 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ48RPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.035924 +200：￥5.824235 +500：￥5.616617 +1000：￥5.518271	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 43A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 190W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ48RPBF 授权代理品牌	IRFZ48RPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.688005 +20：￥2.595974 +200：￥2.503943	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFZ48RPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRFZ48RPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.340762 +100：￥1.317493 +300：￥1.282533 +500：￥1.247572 +21850：￥1.200921	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ48RPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 43A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 190W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ48RPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.390464 +50：￥13.955555 +100：￥11.481791 +500：￥9.71555 +1000：￥8.243489	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 43A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 190W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ48RPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥42.541683 +50：￥34.138987 +100：￥28.087503 +500：￥23.76681 +1000：￥20.165758	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 43A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 190W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ48RPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB 下载数据手册晶体管	+1：￥48.631319 +10：￥39.166162 +100：￥32.148892 +250：￥29.701007 +500：￥26.926737	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 43A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 190W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ48RPBF Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 下载数据手册未分类	+1000：￥18.944637 +2000：￥18.832418 +5000：￥18.684352	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFZ48RPBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥27.255953 +10：￥23.362245 +50：￥19.468538 +100：￥18.328917 +500：￥15.6698	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFZ48RPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	18 毫欧 43A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	110 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2400 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	190W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）