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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU7546PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 56A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.746214 +10：￥13.384294 +30：￥11.022374 +100：￥9.841414 +500：￥9.054067	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.9 毫欧 43A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 87 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3020 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 99W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU7546PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 56A IPAK 下载数据手册未分类	+1：￥16.941194 +10：￥14.735583 +30：￥13.359702 +100：￥11.941809 +500：￥10.775986	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.9 毫欧 43A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 87 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3020 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 99W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU7546PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 56A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.149509	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.9 毫欧 43A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 87 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3020 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 99W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU7546PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 56A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.9 毫欧 43A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 87 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3020 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 99W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU7546PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 56A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.033845 +10：￥14.29795	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.9 毫欧 43A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 87 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3020 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 99W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRFU7546PBF International 授权代理品牌	IRFU7546 - 12V-300V N-CHANNEL PO 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 7.9mOhm @ 43A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.7V @ 100µA Supplier Device Package： IPAK (TO-251AA) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3020 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU7546PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 56A IPAK 下载数据手册未分类	+1：￥16.529053 +10：￥14.753204 +100：￥11.488374 +500：￥9.49396 +1000：￥7.499546	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.9 毫欧 43A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 87 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3020 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 99W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU7546PBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 60V 71A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube 下载数据手册未分类	+3000：￥5.878656 +4000：￥5.819605 +5000：￥5.761812 +6000：￥5.704018 +10000：￥5.647481	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFU7546PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.9 毫欧 43A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.7V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	87 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3020 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	99W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	IPAK（TO-251AA）
封装/外壳:	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）