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自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF740ALPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.223144 +50：￥10.635457 +100：￥8.750684 +500：￥7.900733	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1030 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I2PAK 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF740ALPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.347313 +50：￥26.017144 +100：￥21.406492 +500：￥19.327287	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1030 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I2PAK 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF740ALPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥36.54882 +10：￥27.630208 +100：￥23.95784 +500：￥21.859341 +1000：￥21.684468	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1030 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I2PAK 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF740ALPBF Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262 下载数据手册未分类	+0：￥20.041584 +1：￥3.813658	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF740ALPBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+22：￥15.097553 +500：￥14.49765 +1000：￥13.797764 +3000：￥13.297846 +8000：￥12.797926	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF740ALPBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Vishay, 场效应管Mosfet 下载数据手册未分类	+50：￥16.764325 +100：￥16.260868 +200：￥15.773694	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRF740ALPBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Vishay, 场效应管Mosfet 下载数据手册未分类	+5：￥24.914797 +15：￥24.168381 +25：￥23.442002	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF740ALPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	550 毫欧 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	36 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1030 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.1W（Ta），125W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	I2PAK
封装/外壳:	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）