IAUC120N04S6N010ATMA1厂家价格_数据手册

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	IAUC120N04S6N010ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥13.05711	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.03毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 108 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6878 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IAUC120N04S6N010ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.320033 +10：￥13.101797 +30：￥11.724961 +100：￥10.304416	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.03毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 108 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6878 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IAUC120N04S6N010ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.754899	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.03毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 108 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6878 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IAUC120N04S6N010ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥64.595475 +2000：￥62.980589 +4000：￥61.903997	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.03毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 108 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6878 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IAUC120N04S6N010ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.03毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 108 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6878 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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Digi-Key

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IAUC120N04S6N010ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34 下载数据手册未分类	+1：￥34.204575 +10：￥28.447061 +100：￥22.644667 +500：￥19.161371 +1000：￥16.258163	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.03mOhm @ 60A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 90µA Supplier Device Package： PG-TDSON-8-34 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 7V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6878 pF @ 25 V
IAUC120N04S6N010ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34 下载数据手册未分类	+1：￥34.204575 +10：￥28.447061 +100：￥22.644667 +500：￥19.161371 +1000：￥16.258163	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.03mOhm @ 60A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 90µA Supplier Device Package： PG-TDSON-8-34 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 7V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6878 pF @ 25 V

Mouser

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	IAUC120N04S6N010ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34 下载数据手册未分类	+1：￥35.932292 +10：￥29.889134 +100：￥23.845976 +250：￥22.049361 +500：￥19.926089	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.03毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 108 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6878 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IAUC120N04S6N010ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™-6
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.03毫欧 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	108 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6878 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-34
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）