IRFP7718PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP7718PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 75V 195A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥50.174586 +10：￥42.648386 +30：￥35.122186 +100：￥31.359086 +500：￥28.850393	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 830 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 29550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 517W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFP7718PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 75V 195A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.324103 +10：￥21.49394 +30：￥19.822068 +100：￥18.128341 +500：￥17.341577	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 830 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 29550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 517W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP7718PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 75V 195A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+25：￥57.149631 +50：￥56.205009 +75：￥54.788076 +100：￥53.843454	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 830 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 29550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 517W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFP7718PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 830 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 29550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 517W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP7718PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 75V 195A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 830 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 29550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 517W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP7718PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 75V 195A TO247 下载数据手册晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：最后售卖 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 830 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 29550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 517W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP7718PBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 75V 355A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube 下载数据手册未分类	+400：￥39.25003 +500：￥35.980383 +1000：￥33.18191	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP7718PBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥47.777276 +10：￥34.833632 +50：￥30.931504 +100：￥29.028027 +200：￥27.41007	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP7718PBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=75 V, 355 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IRFP7718PBF 下载数据手册未分类	+25：￥38.098361 +125：￥34.287689	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRFP7718PBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=75 V, 355 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IRFP7718PBF 下载数据手册未分类	+50：￥46.610649 +120：￥45.203264 +250：￥43.849553 +500：￥42.537583	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFP7718PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	最后售卖
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.8 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.7V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	830 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	29550 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	517W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AC
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）