IAUC120N04S6L009ATMA1厂家价格_数据手册

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	IAUC120N04S6L009ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET_(20V 40V) 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.71952 +200：￥10.5996 +500：￥8.47968 +1000：￥7.0664	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 960毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 128 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7806 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IAUC120N04S6L009ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET_(20V 40V) 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.04716 +200：￥5.048399 +500：￥4.873562 +1000：￥4.786144	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 960毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 128 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7806 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IAUC120N04S6L009ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET_(20V 40V) 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 960毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 128 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7806 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IAUC120N04S6L009ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET_(20V 40V) 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥5.614472 +10000：￥5.428633	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 960毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 128 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7806 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IAUC120N04S6L009ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET_(20V 40V) 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥13.734487 +10000：￥13.279875	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 960毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 128 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7806 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IAUC120N04S6L009ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34 下载数据手册未分类	+1：￥31.604107 +10：￥26.28432 +100：￥20.923063 +500：￥17.704593 +1000：￥15.022104	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 960mOhm @ 60A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 90µA Supplier Device Package： PG-TDSON-8-34 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±16V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 7806 pF @ 25 V
IAUC120N04S6L009ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34 下载数据手册未分类	+1：￥31.604107 +10：￥26.28432 +100：￥20.923063 +500：￥17.704593 +1000：￥15.022104	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 960mOhm @ 60A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 90µA Supplier Device Package： PG-TDSON-8-34 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±16V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 7806 pF @ 25 V

Mouser

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	IAUC120N04S6L009ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET_(20V 40V) 下载数据手册晶体管	+1：￥36.128082 +10：￥28.281259 +100：￥24.030897 +250：￥22.232666 +500：￥20.107485	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 960毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 128 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7806 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8-34 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IAUC120N04S6L009ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R 下载数据手册未分类	+12：￥26.967672 +50：￥23.837496 +100：￥21.670451 +200：￥21.429667 +500：￥18.781058	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IAUC120N04S6L009ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥24.007673 +10：￥21.172121 +50：￥18.714642 +100：￥17.01331 +200：￥16.824276	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IAUC120N04S6L009ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™-6
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	960毫欧 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	128 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7806 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-34
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）