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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP5N100P Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥49.99226 +200：￥19.953195 +500：￥19.286632 +1000：￥18.958813	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP5N100P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.461223 +10：￥28.270076 +100：￥23.163677 +500：￥19.718702 +1000：￥16.630268	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1830 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP5N100P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥76.962487 +10：￥69.156097 +100：￥56.664492 +500：￥48.237169 +1000：￥40.68204	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1830 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP5N100P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 下载数据手册未分类	+1：￥87.870784 +10：￥73.824526 +50：￥58.308309 +100：￥52.755137 +250：￥50.795193	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1830 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 250W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFP5N100P 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 1KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 下载数据手册未分类	+300：￥36.768585 +500：￥33.178387	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFP5N100P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.8 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	6V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	33.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1830 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	250W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）