IRFB7446GPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRFB7446GPBF 共 6 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB7446GPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 120A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.57568 +200：￥4.6464 +500：￥3.71712 +1000：￥3.0976	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3183 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 99W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB7446GPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 120A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.991649	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3183 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 99W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB7446GPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 120A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+30：￥2.673203 +50：￥2.566215 +100：￥2.459295 +300：￥2.352375 +500：￥2.245455	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3183 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 99W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB7446GPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 120A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+30：￥6.539361 +50：￥6.277641 +100：￥6.016087 +300：￥5.754532 +500：￥5.492978	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3183 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 99W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -
	IRFB7446GPBF International 授权代理品牌	IRFB7446 - POWER MOSFET 下载数据手册未分类	+410：￥9.673312	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： - Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.3mOhm @ 70A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.9V @ 100µA Supplier Device Package： TO-220AB Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3183 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB7446GPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 120A TO220AB 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 70A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 93 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3183 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 99W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -

IRFB7446GPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.3 毫欧 70A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.9V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	93 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3183 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	99W（Tc）
工作温度:	-
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-