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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG20N06S415AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.130288	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 20µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2260pF 25V 功率 - 最大值： 50W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG20N06S415AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON 下载数据手册未分类	+10：￥21.067371 +100：￥16.326074 +5000：￥16.003865	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 20µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2260pF 25V 功率 - 最大值： 50W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPG20N06S415AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 20µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2260pF 25V 功率 - 最大值： 50W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG20N06S415AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 20µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2260pF 25V 功率 - 最大值： 50W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPG20N06S415AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥20.446447 +10：￥16.763186	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount, Wettable Flank 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10
	IPG20N06S415AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥20.446447 +10：￥16.763186	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount, Wettable Flank 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG20N06S415AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON 下载数据手册未分类	+1：￥22.841924 +10：￥20.653476 +100：￥16.003024 +500：￥13.226432 +1000：￥11.598773	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 20µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2260pF 25V 功率 - 最大值： 50W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG20N06S415AATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R 下载数据手册未分类	+5000：￥9.55777	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPG20N06S415AATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	15.5 毫欧 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	29nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2260pF 25V
功率 - 最大值:	50W
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装，可润湿侧翼
封装/外壳:	8-PowerVDFN
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-10
温度:	-55°C # 175°C（TJ）