IPAN70R900P7SXKSA1厂家价格_数据手册

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	IPAN70R900P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 6A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.976 +10：￥26.3296 +30：￥21.6832 +100：￥19.36 +500：￥17.8112	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 900 毫欧 1.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 60µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 211 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 17.9W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPAN70R900P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 6A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.965051 +10：￥12.861397 +30：￥12.172979	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 900 毫欧 1.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 60µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 211 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 17.9W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPAN70R900P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 6A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.0855	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 900 毫欧 1.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 60µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 211 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 17.9W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPAN70R900P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 6A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.68493 +10：￥5.973993 +100：￥4.656638 +500：￥3.846701 +1000：￥3.036869	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 900 毫欧 1.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 60µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 211 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 17.9W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPAN70R900P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 6A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.35311 +10：￥14.61397 +100：￥11.391368 +500：￥9.410047 +1000：￥7.428985	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 900 毫欧 1.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 60µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 211 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 17.9W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）
	IPAN70R900P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 6A TO220 下载数据手册未分类	+500：￥6.935196	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 900mOhm @ 1.1A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 17.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 60µA Supplier Device Package： PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±16V Drain to Source Voltage (Vdss)： 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 211 pF @ 400 V

Mouser

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	IPAN70R900P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 6A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥14.536245 +10：￥12.004652 +100：￥9.342396 +500：￥9.097403 +1000：￥7.41512	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 900 毫欧 1.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 60µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 211 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 17.9W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPAN70R900P7SXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+500：￥7.935674 +1000：￥7.114693	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPAN70R900P7SXKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+1：￥8.610589 +10：￥7.88836 +100：￥6.869753 +500：￥6.836995 +1000：￥6.077329	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPAN70R900P7SXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	900 毫欧 1.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	211 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	17.9W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-40°C # 150°C（TJ）