IPA70R750P7SXKSA1厂家价格_数据手册

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	IPA70R750P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.296206 +10：￥8.864218 +30：￥7.386808	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 400 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 306 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21.2W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPA70R750P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.385154 +30：￥10.555425	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 400 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 306 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21.2W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPA70R750P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.163861	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 400 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 306 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21.2W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPA70R750P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH TO220-3 下载数据手册未分类	+500：￥7.18535 +1000：￥5.672622 +2000：￥5.294552 +5000：￥5.029767 +10000：￥4.84062	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 400 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 306 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21.2W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPA70R750P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 400 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 306 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21.2W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPA70R750P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.720959 +10：￥6.008306 +100：￥4.686131 +500：￥3.871041 +1000：￥3.056125	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 400 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 306 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21.2W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPA70R750P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.441246 +10：￥14.697908 +100：￥11.463517 +500：￥9.469592 +1000：￥7.47609	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 400 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 306 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21.2W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IPA70R750P7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH TO220-3 下载数据手册晶体管	+1：￥19.604849 +10：￥17.660566 +100：￥13.62618 +500：￥11.260638 +1000：￥8.101177	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 750 毫欧 1.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 400 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 306 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21.2W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPA70R750P7SXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+500：￥7.984714 +1000：￥6.804864 +2000：￥6.554895 +5000：￥6.327779 +10000：￥6.242077	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPA70R750P7SXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	750 毫欧 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 70µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.3 nC 400 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	306 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	21.2W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-40°C # 150°C（TJ）