IPB50N10S3L16ATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB50N10S3L16ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.581264	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 60µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPB50N10S3L16ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥10.972479 +2000：￥10.815787 +5000：￥10.032037 +10000：￥9.640163 +25000：￥9.404982	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.4 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 60µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB50N10S3L16ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.093096 +10：￥20.769619 +25：￥19.596547 +100：￥15.282529 +250：￥14.891221	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2
IPB50N10S3L16ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB50N10S3L16ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥24.490933 +2000：￥23.698507 +3000：￥23.452928 +4000：￥23.233047 +5000：￥23.026018	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPB50N10S3L16ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥25.511805 +10：￥23.981211 +25：￥22.760448 +50：￥21.782409 +100：￥20.961428	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB50N10S3L16ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	15.4 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	64 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4180 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	100W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3-2
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）