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IRF3709SPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRF3709SPBF
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¥2.258707

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Digi-Key 停止提供

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 毫欧 15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 41 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2672 pF 16 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),120W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRF3709SPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRF3709SPBF
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Digi-Key 停止提供

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 毫欧 15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 41 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2672 pF 16 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),120W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRF3709SPBF_未分类
IRF3709SPBF
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IRF3709SPBF VBSEMI/台湾微碧半导体

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库存: 1000 +

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品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Digi-Key 停止提供

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 毫欧 15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 41 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2672 pF 16 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),120W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRF3709SPBF
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HEXFET SMPS POWER MOSFET

未分类

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¥4.449401

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA

Supplier Device Package: D2PAK

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V

自营 国内现货
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Digi-Key 停止提供

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 毫欧 15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 41 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2672 pF 16 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),120W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRF3709SPBF
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HEXFET SMPS POWER MOSFET

未分类

库存: 1000 +

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Packaging: Bulk

Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA

Supplier Device Package: D2PAK

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V

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货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 毫欧 15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 41 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2672 pF 16 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),120W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

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HEXFET SMPS POWER MOSFET

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Mounting Type: Surface Mount

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Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA

Supplier Device Package: D2PAK

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V

Mouser
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封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Digi-Key 停止提供

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 毫欧 15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 41 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2672 pF 16 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),120W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRF3709SPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: Digi-Key 停止提供
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 毫欧 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 41 nC 5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2672 pF 16 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),120W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 150°C(TJ)