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自营 现货库存
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IRLR6225TRPBF_未分类
IRLR6225TRPBF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 20V 100A DPAK

未分类

+1:

¥68.804563

+200:

¥27.454607

+500:

¥26.540854

+1000:

¥26.089228

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4 毫欧 21A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 72 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3770 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 63W(Tc)

工作温度: -50°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D-Pak

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -50°C # 150°C(TJ)

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IRLR6225TRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥10.995512

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4 毫欧 21A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 72 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3770 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 63W(Tc)

工作温度: -50°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D-Pak

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -50°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRLR6225TRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥3.483385

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¥3.30919

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4 毫欧 21A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 72 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3770 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 63W(Tc)

工作温度: -50°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D-Pak

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -50°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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IRLR6225TRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥6.019279

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¥5.718269

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¥5.607948

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4 毫欧 21A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 72 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3770 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 63W(Tc)

工作温度: -50°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D-Pak

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -50°C # 150°C(TJ)

IRLR6225TRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥14.801882

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¥13.229183

+100:

¥10.318531

+500:

¥8.524034

+1000:

¥6.729539

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

工作温度: -50°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

IRLR6225TRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥14.801882

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¥10.318531

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¥6.729539

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货期:7~10 天

系列: HEXFET®

工作温度: -50°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

Mouser
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IRLR6225TRPBF_未分类
IRLR6225TRPBF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 20V 100A DPAK

未分类

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¥17.371739

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¥15.471704

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¥12.119502

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¥10.015893

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¥7.898713

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4 毫欧 21A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 72 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3770 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 63W(Tc)

工作温度: -50°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D-Pak

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -50°C # 150°C(TJ)

艾睿
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IRLR6225TRPBF_未分类
IRLR6225TRPBF
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 20V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

未分类

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¥15.984969

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¥14.19596

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¥13.680438

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¥10.956091

+250:

¥9.935258

库存: 0

货期:7~10 天

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IRLR6225TRPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4 毫欧 21A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 72 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3770 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 63W(Tc)
工作温度: -50°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D-Pak
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -50°C # 150°C(TJ)