IPD65R650CEAUMA1厂家价格_数据手册

搜索 IPD65R650CEAUMA1 共 12 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD65R650CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.796762 +200：￥2.72089 +500：￥2.622545 +1000：￥2.578836	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 86W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD65R650CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.332098	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 86W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD65R650CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3 下载数据手册未分类	+5：￥4.43205 +10：￥4.123807 +50：￥3.497487 +100：￥3.343309 +200：￥3.333701	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 86W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）
	IPD65R650CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3 下载数据手册未分类	+1：￥10.95868 +10：￥9.733639 +100：￥7.321876 +250：￥7.309698 +500：￥6.018291	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 86W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD65R650CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.490726 +5000：￥3.316245 +12500：￥3.25226	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 86W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPD65R650CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.031963 +5000：￥5.730458 +12500：￥5.619895	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 86W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPD65R650CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.205107 +10：￥12.71357 +100：￥9.909246 +500：￥8.186405 +1000：￥6.462851	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ CE 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
IPD65R650CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.205107 +10：￥12.71357 +100：￥9.909246 +500：￥8.186405 +1000：￥6.462851	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ CE 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD65R650CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3 下载数据手册未分类	+1：￥13.943618 +10：￥11.455948 +100：￥9.063352 +500：￥7.811595 +1000：￥6.512303	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CE 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 650 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 210µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 86W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD65R650CEAUMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥5.981495 +10：￥5.79294 +25：￥5.781848 +100：￥5.498221 +250：￥5.442763	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD65R650CEAUMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ CE
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	650 毫欧 2.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 210µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	23 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	440 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	86W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-40°C # 150°C（TJ）