品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, Ultra X
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 850 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 66A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 65 毫欧 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 230 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8900 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1250W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PLUS247™-3
封装/外壳: TO-247-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)