搜索 IPD50P04P413ATMA2 共 4 条相关记录
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | +2500： ￥7.070836 +5000： ￥6.734147 +12500： ￥6.423377 | ||||
| 授权代理品牌 | +1： ￥17.071184 +10： ￥13.980928 +100： ￥10.878209 +500： ￥9.220682 +1000： ￥7.511198 | 系列： OptiMOS®-P2 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3-313 | |||
| 授权代理品牌 | +1： ￥17.071184 +10： ￥13.980928 +100： ￥10.878209 +500： ￥9.220682 +1000： ￥7.511198 | 系列： OptiMOS®-P2 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3-313 |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
IPD50P04P413ATMA2 授权代理品牌 | +1： ￥21.487969 +10： ￥17.695974 +100： ￥13.777579 +500： ￥11.676183 +1000： ￥9.511587 |
IPD50P04P413ATMA2参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | OptiMOS®-P2 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 12.6 毫欧 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 85µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 51 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3670 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 58W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-TO252-3-313 |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |