品牌： IXYS

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： TrenchP™

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 60A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 740 nC 10 V

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 73000 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-264（IXTK）

封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA

温度： -

品牌： IXYS

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： TrenchP™

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 60A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 740 nC 10 V

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 73000 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-264（IXTK）

封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA

温度： -