IPW65R048CFDAFKSA1厂家价格_数据手册

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	IPW65R048CFDAFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥129.954121 +200：￥108.295121 +500：￥86.636 +1000：￥72.196707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 63.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 48 毫欧 29.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.9mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPW65R048CFDAFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥128.188017 +200：￥49.605244 +500：￥47.861761 +1000：￥47.000522	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 63.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 48 毫欧 29.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.9mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPW65R048CFDAFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥218.1872	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 63.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 48 毫欧 29.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.9mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPW65R048CFDAFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥206.711684 +8：￥200.422688 +15：￥190.408179	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 63.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 48 毫欧 29.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.9mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）
	IPW65R048CFDAFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3 下载数据手册未分类	+30：￥173.007957 +60：￥162.080911 +120：￥156.618431	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 63.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 48 毫欧 29.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.9mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPW65R048CFDAFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥106.056512 +10：￥97.452459 +100：￥82.30459 +500：￥73.215642	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 63.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 48 毫欧 29.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.9mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPW65R048CFDAFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥259.442329 +10：￥238.394536 +100：￥201.338833 +500：￥179.104861	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 63.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 48 毫欧 29.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.9mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IPW65R048CFDAFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥306.807149 +10：￥282.014652 +100：￥238.138457	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 63.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 48 毫欧 29.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 2.9mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 270 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7440 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPW65R048CFDAFKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+240：￥192.939768 +500：￥141.042678	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPW65R048CFDAFKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	63.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	48 毫欧 29.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 2.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	270 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7440 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-40°C # 150°C（TJ）