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IPB120N06S4H1ATMA2_晶体管-FET,MOSFET-单个
IPB120N06S4H1ATMA2
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¥20.792761

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¥17.327321

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¥13.86176

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¥11.551507

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: PG-TO263-3-2

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¥21.554335

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: PG-TO263-3-2

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IPB120N06S4H1ATMA2
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¥17.464084

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¥17.383219

+5000:

¥17.140748

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: PG-TO263-3-2

自营 国内现货
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¥13.827713

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: PG-TO263-3-2

Digi-Key
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¥33.826249

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: PG-TO263-3-2

IPB120N06S4H1ATMA2_未分类
IPB120N06S4H1ATMA2
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

未分类

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¥35.627067

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.4 毫欧 100A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 200µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 270 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 21900 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 250W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TO263-3-2

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

IPB120N06S4H1ATMA2_未分类
IPB120N06S4H1ATMA2
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

未分类

+1:

¥64.763508

+10:

¥58.144392

+100:

¥47.638168

+500:

¥40.553897

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Cut Tape (CT)

Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C # 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 250W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA

Supplier Device Package: PG-TO263-3-2

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V

IPB120N06S4H1ATMA2_未分类
IPB120N06S4H1ATMA2
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

未分类

+1:

¥64.763508

+10:

¥58.144392

+100:

¥47.638168

+500:

¥40.553897

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Digi-Reel®

Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C # 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 250W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA

Supplier Device Package: PG-TO263-3-2

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V

Mouser
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IPB120N06S4H1ATMA2
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

未分类

+1:

¥71.183369

+10:

¥59.734295

+100:

¥48.285224

+250:

¥47.45558

+500:

¥43.141436

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: PG-TO263-3-2

艾睿
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IPB120N06S4H1ATMA2
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Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

未分类

+1000:

¥24.271656

库存: 0

货期:7~10 天

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IPB120N06S4H1ATMA2参数规格

属性 参数值
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装: PG-TO263-3-2