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	IRLHM620TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥6.176566 +300：￥4.177041 +1000：￥3.06614 +4000：￥2.221802 +8000：￥2.110724	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 20A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3620 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRLHM620TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥3.616926 +10：￥2.950363 +30：￥2.622545 +100：￥2.294727 +500：￥1.945054	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 20A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3620 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRLHM620TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.314739	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 20A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3620 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLHM620TRPBF 授权代理品牌	IRLHM620TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥4.507907	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLHM620TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.060993 +8000：￥3.009941 +16000：￥2.95889 +32000：￥2.90807	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 20A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3620 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLHM620TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥3.199097 +200：￥3.047332 +1000：￥2.985515	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 20A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3620 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLHM620TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.630703 +8000：￥2.542377 +16000：￥2.498155 +32000：￥2.476044	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 20A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3620 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLHM620TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.600966 +10：￥7.186999 +20：￥7.063134 +40：￥7.001201	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 20A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3620 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRLHM620TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 20A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3620 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRLHM620TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.363965	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 20A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3620 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRLHM620TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	26A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.5 毫欧 20A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	78 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3620 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.7W（Ta），37W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PQFN（3x3）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLHM620TRPBF 授权代理品牌	IRLHM620TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥4.507907	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLHM620TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.060993 +8000：￥3.009941 +16000：￥2.95889 +32000：￥2.90807	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 20A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3620 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLHM620TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥3.199097 +200：￥3.047332 +1000：￥2.985515	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 20A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3620 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLHM620TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.630703 +8000：￥2.542377 +16000：￥2.498155 +32000：￥2.476044	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 20A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3620 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRLHM620TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.600966 +10：￥7.186999 +20：￥7.063134 +40：￥7.001201	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 20A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 78 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3620 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），37W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（3x3）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）