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	IXTR210P10T Zilog 授权代理品牌	IXTR210P10T 美国力特下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTR210P10T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 158A ISOPLUS247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥345.016674	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchP™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 105A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 740 nC 10 V Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 69500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 595W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： ISOPLUS247™ 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTR210P10T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 158A ISOPLUS247 下载数据手册晶体管	+300：￥394.928545	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchP™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 105A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 740 nC 10 V Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 69500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 595W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： ISOPLUS247™ 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IXTR210P10T参数规格

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