IPA040N06NM5SXKSA1厂家价格_数据手册

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	IPA040N06NM5SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 72A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥46.289639 +200：￥38.5748 +500：￥30.85984 +1000：￥25.716493	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4毫欧 72A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3500 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 36W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPA040N06NM5SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 72A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥47.478988 +200：￥18.379668 +500：￥17.734959 +1000：￥17.418068	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4毫欧 72A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3500 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 36W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPA040N06NM5SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 72A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.7077	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4毫欧 72A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3500 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 36W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPA040N06NM5SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 72A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4毫欧 72A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3500 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 36W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPA040N06NM5SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 72A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.957771 +50：￥9.630751 +100：￥7.923764 +500：￥6.704704 +1000：￥5.688863	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4毫欧 72A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3500 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 36W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IPA040N06NM5SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 72A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.251876 +50：￥23.559369 +100：￥19.383625 +500：￥16.401482 +1000：￥13.916464	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4毫欧 72A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3500 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 36W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	IPA040N06NM5SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 72A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥41.788891 +10：￥33.994932 +25：￥18.904499 +100：￥17.246209 +250：￥15.272846	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 72A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4毫欧 72A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.3V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3500 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 36W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPA040N06NM5SXKSA1 授权代理品牌	Power Transistor MOSFET 下载数据手册未分类	+1：￥19.635879 +10：￥17.97808 +100：￥15.839442 +500：￥14.547774 +1000：￥13.417956	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPA040N06NM5SXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Power Transistor MOSFET 下载数据手册未分类	+7：￥10.564133 +10：￥9.672235 +100：￥8.521645 +500：￥7.826724 +1000：￥7.218879	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPA040N06NM5SXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Power Transistor MOSFET 下载数据手册未分类	+8：￥9.944454 +10：￥9.149776 +100：￥8.11416 +500：￥7.480955 +1000：￥6.589056	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPA040N06NM5SXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™5
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	72A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4毫欧 72A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.3V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	50 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3500 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	36W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220 整包
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 175°C（TJ）