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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFIZ48NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.8292 +200：￥20.691 +500：￥16.5528 +1000：￥13.794	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 89 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 54W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRFIZ48NPBF 美国微芯(MICROCHIP) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) IRFIZ48NPBF TO-220 下载数据手册未分类	+1：￥39.872041 +10：￥26.58128 +30：￥22.151107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFIZ48NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.399885	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 89 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 54W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRFIZ48NPBF Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	下载数据手册	+1：￥15.811554	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFIZ48NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFIZ48NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.34431 +200：￥3.287185 +370：￥3.230058 +1110：￥3.144264 +3690：￥3.058468	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFIZ48NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 89 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 54W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFIZ48NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFIZ48NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥3.829539 +20：￥3.766796 +50：￥3.609822 +1000：￥3.547079	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFIZ48NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFIZ48NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+4：￥3.766796 +1000：￥3.609822 +3000：￥3.452848 +7000：￥3.29599	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFIZ48NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 89 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 54W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFIZ48NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 89 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 54W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRFIZ48NPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16 毫欧 22A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	89 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1900 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	54W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB 整包
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 175°C（TJ）