IRFS7440TRLPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS7440TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.762469 +10：￥4.368877 +30：￥4.290158 +100：￥4.054003	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D²Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFS7440TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥10.469888 +100：￥7.080315 +400：￥5.197313 +800：￥3.766125 +1600：￥3.577849	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D²Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRFS7440TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥7.124359 +100：￥6.044918 +800：￥4.317764	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D²Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFS7440TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 120A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥4.272563 +10：￥3.540435 +30：￥3.179836 +100：￥2.819236 +500：￥2.60069	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D²Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFS7440TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.986289	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D²Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFS7440TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥6.362546	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D²Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFS7440TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D²Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFS7440TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥21.602787 +100：￥17.346038 +500：￥14.259926 +800：￥11.812388	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D²Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFS7440TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.195045 +50：￥3.115169 +100：￥3.061919 +1000：￥3.048606 +3000：￥3.035293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D²Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS7440TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥6.537031	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D²Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRFS7440TRLPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.5 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.9V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	135 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4730 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	208W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-263（D²Pak）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFS7440TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥6.362546	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D²Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFS7440TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D²Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFS7440TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥21.602787 +100：￥17.346038 +500：￥14.259926 +800：￥11.812388	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D²Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFS7440TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 40V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.195045 +50：￥3.115169 +100：￥3.061919 +1000：￥3.048606 +3000：￥3.035293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 135 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4730 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D²Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）