IRFH4210DTRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH4210DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥60.1128 +200：￥50.094 +500：￥40.0752 +1000：￥33.396	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4812 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.5W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH4210DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN 下载数据手册	+1：￥29.015615 +200：￥11.234931 +500：￥10.831789 +1000：￥10.640827	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4812 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.5W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH4210DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.02794	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4812 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.5W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH4210DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥5.514666	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4812 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.5W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH4210DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥13.490335	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4812 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.5W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH4210DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.90179 +10：￥25.912437	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PQFN (5x6)
IRFH4210DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PQFN (5x6)

Mouser

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	IRFH4210DTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4812 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.5W（Ta），125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFH4210DTRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	44A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.1 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	77 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4812 pF 13 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.5W（Ta），125W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）