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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA180N10T7 Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥90.412232 +200：￥36.081846 +500：￥34.868919 +1000：￥34.278846	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA180N10T7 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册未分类	+1：￥48.776337	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 151 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263-7（IXTA）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA180N10T7 Zilog 授权代理品牌	IXTA180N10T7 美国力特下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA180N10T7 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥17.459131	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 151 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263-7（IXTA）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA180N10T7 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥42.709661	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 151 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263-7（IXTA）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA180N10T7 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 下载数据手册未分类	+1：￥99.165702 +10：￥83.246125 +50：￥72.798902 +100：￥64.673284 +250：￥63.67831	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 151 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263-7（IXTA）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IXTA180N10T7 Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK 下载数据手册未分类	+300：￥61.013276 +500：￥60.394165 +1000：￥59.790534 +2000：￥59.202379 +2500：￥58.598747	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTA180N10T7参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Trench
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.4 毫欧 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	151 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6900 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	480W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-263-7（IXTA）
封装/外壳:	TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
温度:	-55°C # 175°C（TJ）