锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 IXFX27N80Q5 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFX27N80Q_未分类
IXFX27N80Q
授权代理品牌
+1:

¥333.576771

+210:

¥133.105076

+510:

¥128.657677

+990:

¥126.450368

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFX27N80Q_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥153.899086

+30:

¥127.598987

+120:

¥119.624153

+510:

¥102.079366

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Q Class

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 320 毫欧 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 170 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7600 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 500W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PLUS247™-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFX27N80Q_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥376.477942

+30:

¥312.140933

+120:

¥292.632377

+510:

¥249.713176

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Q Class

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 320 毫欧 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 170 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7600 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 500W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PLUS247™-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFX27N80Q_未分类
IXFX27N80Q
授权代理品牌

MOSFET N-CH 800V 27A PLUS247-3

未分类

+300:

¥334.660294

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Q Class

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 320 毫欧 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 170 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7600 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 500W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PLUS247™-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFX27N80Q_未分类
IXFX27N80Q
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247

未分类

+300:

¥329.448603

+500:

¥326.172836

+1000:

¥322.897068

+2000:

¥319.77729

+2500:

¥316.501523

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXFX27N80Q参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, Q Class
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 320 毫欧 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 170 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7600 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 500W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PLUS247™-3
封装/外壳: TO-247-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)