品牌： Harris Corporation

包装： Bag

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400mOhm 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 75W (Tc)

工作温度： -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-3

封装/外壳： TO-204AA, TO-3

温度： -55°C ~ 150°C (TJ)

品牌： Harris Corporation

包装： Bag

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400mOhm 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 30 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 75W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-3

封装/外壳： TO-204AA, TO-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： TT Electronics

包装： *

封装/外壳： TO-3

系列： IRF

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 200 V

Id-连续漏极电流： 9 A

Rds On-漏源导通电阻： 400 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Pd-功率耗散： 75 W

通道模式： Enhancement

商标： Semelab / TT Electronics

配置： Single

下降时间： 40 ns

产品类型： MOSFET

上升时间： 80 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 60 ns

典型接通延迟时间： 35 ns

温度： - 55 C~+ 150 C