IAUZ20N08S5L300ATMA1厂家价格_数据手册

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	IAUZ20N08S5L300ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.610998 +200：￥2.644399 +500：￥2.546054 +1000：￥2.513272	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 8µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 599 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-8-32 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IAUZ20N08S5L300ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 8µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 599 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-8-32 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IAUZ20N08S5L300ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥2.613141 +10000：￥2.492522 +25000：￥2.487775	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 8µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 599 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-8-32 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IAUZ20N08S5L300ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥4.5155 +10000：￥4.307069 +25000：￥4.298867	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 8µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 599 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-8-32 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IAUZ20N08S5L300ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.434476 +10：￥9.383728 +100：￥7.294451 +500：￥6.18282 +1000：￥5.036514	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TSDSON-8-32
IAUZ20N08S5L300ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.434476 +10：￥9.383728 +100：￥7.294451 +500：￥6.18282 +1000：￥5.036514	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TSDSON-8-32

Mouser

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	IAUZ20N08S5L300ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 下载数据手册晶体管	+1：￥14.538001 +10：￥11.914841 +100：￥9.275877 +500：￥7.869484 +1000：￥6.03643	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 8µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 599 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 30W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-8-32 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IAUZ20N08S5L300ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R 下载数据手册未分类	+35：￥8.388372 +50：￥7.127031 +100：￥6.108884 +200：￥5.784927 +500：￥5.414694	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IAUZ20N08S5L300ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+5：￥8.600765 +10：￥6.434372 +50：￥5.47153 +100：￥4.684592 +200：￥4.434626	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IAUZ20N08S5L300ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	30 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 8µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	599 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	30W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TSDSON-8-32
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）