IRF7476TRPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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	IRF7476TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	表面贴装型 N 通道 12 V 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.240203 +10：￥2.151308 +100：￥1.937952 +500：￥1.831275	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2550 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7476TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 15A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥8.57769 +300：￥5.80074 +1000：￥4.25799 +4000：￥3.0855 +8000：￥2.931225	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2550 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF7476TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 15A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.133085 +10：￥9.683683 +30：￥8.780433	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2550 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7476TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 15A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.323079	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2550 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7476TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 15A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.113042 +100：￥3.425413 +1000：￥3.183469 +2000：￥3.017929 +4000：￥2.877856	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2550 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7476TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 15A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.461299	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2550 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7476TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 15A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥6.139584 +100：￥5.113152 +1000：￥4.752 +2000：￥4.504896	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2550 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF7476TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 15A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2550 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IRF7476TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 15A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2550 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7476TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 15A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

IRF7476TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8 毫欧 15A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.9V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	40 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2550 pF 6 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）