IXTH50P10厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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搜索 IXTH50P10 共 12 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH50P10 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 50A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥58.974476 +10：￥56.493986 +30：￥54.964168	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IXTH50P10 Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥84.249252 +10：￥73.977618 +30：￥67.716292	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH50P10 Littelfuse(力特) 授权代理品牌	IXTH50P10 LITTELFUSE 下载数据手册未分类	+1：￥92.143494 +5：￥84.01431 +10：￥76.545521 +50：￥70.4145	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH50P10 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 50A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥60.90714 +10：￥55.002119 +100：￥45.534454 +500：￥39.650761 +1000：￥34.883397	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH50P10 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 50A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥148.995003 +10：￥134.549756 +100：￥111.38934 +500：￥96.996268 +1000：￥85.334033	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH50P10 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 50A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥156.371122 +10：￥142.511325 +30：￥135.010729 +120：￥123.270664 +510：￥115.770068	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 140 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH50P10 Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 下载数据手册未分类	+300：￥100.052762	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IXTH50P10 Ixys Corporation 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 下载数据手册未分类	+300：￥69.154573	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH50P10 Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 下载数据手册未分类	+2：￥52.323551	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH50P10 Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	MOSFET, P-CH, 50A, 100V, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥108.002935 +10：￥103.22351 +30：￥99.424168 +120：￥84.904385 +270：￥84.323596	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTH50P10参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	55 毫欧 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	140 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4350 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247（IXTH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）