IPN60R360P7SATMA1厂家价格_数据手册

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	IPN60R360P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.111161 +200：￥4.259321 +500：￥3.40736 +1000：￥2.839507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPN60R360P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.223235 +200：￥2.021545 +500：￥1.955981 +1000：￥1.9232	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPN60R360P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223 下载数据手册未分类	+1：￥11.400098 +10：￥10.276499 +100：￥7.675143 +500：￥6.347204 +1000：￥5.481016	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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IPN60R360P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥5.420712 +6000：￥5.162678 +9000：￥4.92436	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPN60R360P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.144581 +10：￥10.715691 +100：￥8.339665 +500：￥7.068928 +1000：￥5.758327	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223
IPN60R360P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.144581 +10：￥10.715691 +100：￥8.339665 +500：￥7.068928 +1000：￥5.758327	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223

Mouser

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	IPN60R360P7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223 下载数据手册未分类	+1：￥15.352888 +10：￥12.233314 +100：￥9.734385 +500：￥8.248094 +1000：￥6.729138	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 555 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPN60R360P7SATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+5：￥7.880396 +10：￥6.414719 +50：￥5.643811 +100：￥4.99663 +200：￥4.777729	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPN60R360P7SATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	360 毫欧 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	13 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	555 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	7W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-SOT223
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-40°C # 150°C（TJ）