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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH48N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 48A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.951957 +10：￥24.520794 +30：￥22.488322 +100：￥20.433995 +500：￥19.483322	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 68 毫欧 24A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4420 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH48N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 48A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥59.340217 +30：￥47.392334 +120：￥42.404484 +510：￥37.415759 +1020：￥33.674172	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 68 毫欧 24A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4420 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH48N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 48A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥145.161893 +30：￥115.934205 +120：￥103.732604 +510：￥91.52886 +1020：￥82.375947	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 68 毫欧 24A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4420 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH48N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 48A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥165.778525 +10：￥142.422537 +30：￥116.779946 +120：￥108.776845 +270：￥106.163587	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 68 毫欧 24A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 77 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4420 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 660W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH48N65X2 Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 下载数据手册未分类	+300：￥114.90144 +500：￥113.747123 +1000：￥112.608405 +2000：￥111.485283 +2500：￥110.362163	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTH48N65X2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Ultra X2
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	68 毫欧 24A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	77 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4420 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	660W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247（IXTH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）