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	IRFH5210TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥121.981968 +100：￥87.094656 +300：￥66.598848 +500：￥56.547792 +1000：￥50.864544	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.9 毫欧 33A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFH5210TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.140816 +10：￥6.873253 +30：￥6.184835 +100：￥5.398071 +500：￥4.698726	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.9 毫欧 33A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5210TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.116976	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.9 毫欧 33A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH5210TRPBF 授权代理品牌	IRFH5210TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+2：￥6.357446 +20：￥6.19804 +100：￥6.039677 +300：￥5.933407 +500：￥5.775044	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH5210TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥5.83443 +8000：￥5.73719 +12000：￥5.591329 +20000：￥5.494088	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.9 毫欧 33A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5210TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥9.418437 +8000：￥9.261463 +12000：￥9.182977 +20000：￥9.026003	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.9 毫欧 33A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5210TRPBF 授权代理品牌	IRFH5210TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+2：￥7.063828 +30：￥6.88729 +200：￥6.651829 +5000：￥6.416368	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	IRFH5210TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.9 毫欧 33A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5210TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥4.818144 +8000：￥4.588736 +12000：￥4.376942	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.9 毫欧 33A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IRFH5210TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥8.214979 +8000：￥7.823837 +12000：￥7.462726	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.9 毫欧 33A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFH5210TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Ta），55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	14.9 毫欧 33A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	59 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2570 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.6W（Ta），104W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH5210TRPBF 授权代理品牌	IRFH5210TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+2：￥6.357446 +20：￥6.19804 +100：￥6.039677 +300：￥5.933407 +500：￥5.775044	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH5210TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥5.83443 +8000：￥5.73719 +12000：￥5.591329 +20000：￥5.494088	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.9 毫欧 33A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5210TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥9.418437 +8000：￥9.261463 +12000：￥9.182977 +20000：￥9.026003	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），55A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.9 毫欧 33A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 59 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2570 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5210TRPBF 授权代理品牌	IRFH5210TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+2：￥7.063828 +30：￥6.88729 +200：￥6.651829 +5000：￥6.416368	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数