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IRF9Z14STRLPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF9Z14STRLPBF
Vishay(威世)
授权代理品牌
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￥11.4708

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￥9.75018

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￥8.02956

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￥6.59571

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￥5.7354

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），43W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK（TO-263）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 175°C（TJ）

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IRF9Z14STRLPBF_未分类
IRF9Z14STRLPBF
VBsemi(台湾微碧)
授权代理品牌
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￥3.089651

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￥3.036341

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￥2.929822

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￥2.849908

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￥2.663475

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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Digi-Key
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IRF9Z14STRLPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF9Z14STRLPBF
Vishay(威世)
授权代理品牌
+800：

￥14.19122

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），43W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK（TO-263）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRF9Z14STRLPBF_未分类
IRF9Z14STRLPBF
Vishay(威世)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK

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未分类
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￥13.854568

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 500mOhm @ 4A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 3.7W (Ta), 43W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA

Supplier Device Package： D²PAK (TO-263)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 12 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 270 pF @ 25 V

IRF9Z14STRLPBF_未分类
IRF9Z14STRLPBF
Vishay(威世)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK

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未分类
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￥23.321956

+10：

￥20.97651

+100：

￥16.863365

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 500mOhm @ 4A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 3.7W (Ta), 43W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA

Supplier Device Package： D²PAK (TO-263)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 12 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 270 pF @ 25 V

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IRF9Z14STRLPBF
Vishay(威世)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK

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未分类
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￥23.321956

+10：

￥20.97651

+100：

￥16.863365

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 500mOhm @ 4A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 3.7W (Ta), 43W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA

Supplier Device Package： D²PAK (TO-263)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 12 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 270 pF @ 25 V

Mouser
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Vishay(威世)
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MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK

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￥23.845976

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￥19.599431

+100：

￥15.173228

+500：

￥13.066288

+800：

￥10.943016

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），43W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK（TO-263）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRF9Z14STRLPBF_未分类
IRF9Z14STRLPBF
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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+800：

￥8.578642

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

IRF9Z14STRLPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 500 毫欧 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 12 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 270 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.7W（Ta），43W（Tc）
工作温度: -55°C # 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK（TO-263）
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度: -55°C # 175°C（TJ）