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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA60N20T Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥87.396305 +200：￥34.879846 +500：￥33.710628 +1000：￥33.131483	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA60N20T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 60A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥26.379998	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4530 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263AA 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA60N20T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 60A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥64.532466	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4530 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263AA 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA60N20T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 60A TO263 下载数据手册未分类	+1：￥80.08412 +10：￥72.171209 +50：￥68.078324 +100：￥58.937547	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4530 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263AA 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -

IXTA60N20T参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Trench
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	40 毫欧 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	73 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4530 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500W（Tc）
工作温度:	-
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-263AA
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-