IAUZ30N10S5L240ATMA1厂家价格_数据手册

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	IAUZ30N10S5L240ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.994759 +200：￥4.1624 +500：￥3.32992 +1000：￥2.774893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 15µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 832 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-8-32 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IAUZ30N10S5L240ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 15µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 832 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-8-32 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IAUZ30N10S5L240ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥2.804231 +10000：￥2.801042	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 15µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 832 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-8-32 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IAUZ30N10S5L240ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥6.859893 +10000：￥6.852092	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 15µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 832 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-8-32 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IAUZ30N10S5L240ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.619564 +10：￥16.920253 +100：￥11.363801 +500：￥8.977219 +1000：￥8.208311	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TSDSON-8-32
IAUZ30N10S5L240ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.619564 +10：￥16.920253 +100：￥11.363801 +500：￥8.977219 +1000：￥8.208311	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PG-TSDSON-8-32

Mouser

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	IAUZ30N10S5L240ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32 下载数据手册未分类	+1：￥19.733711 +10：￥16.201543 +100：￥12.603042 +500：￥10.679419 +1000：￥8.37439	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 15µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 832 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSDSON-8-32 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IAUZ30N10S5L240ATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	N Channel Power MOSFET 下载数据手册未分类	+5000：￥6.537821 +10000：￥6.410904	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IAUZ30N10S5L240ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	N Channel Power MOSFET Automotive AEC-Q101 下载数据手册未分类	+5000：￥5.068439	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IAUZ30N10S5L240ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	N Channel Power MOSFET Automotive AEC-Q101 下载数据手册未分类	+31：￥9.369771 +50：￥7.967882 +100：￥6.816331 +200：￥6.463177 +500：￥6.041178	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IAUZ30N10S5L240ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	24 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 15µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	14 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	832 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	45.5W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TSDSON-8-32
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）