IPT60R080G7XTMA1厂家价格_数据手册

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	IPT60R080G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥123.216599 +10：￥68.453693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ G7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 29A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 9.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 490µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1640 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-2 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPT60R080G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥44.640651	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ G7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 29A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 9.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 490µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1640 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-2 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPT60R080G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ G7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 29A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 9.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 490µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1640 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-2 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPT60R080G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥21.159676	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ G7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 29A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 9.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 490µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1640 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-2 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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IPT60R080G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥51.762173	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ G7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 29A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 9.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 490µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1640 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-2 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPT60R080G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥97.352676 +10：￥83.471699 +100：￥69.562132 +500：￥61.378218 +1000：￥55.240282	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ G7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-2
IPT60R080G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥97.352676 +10：￥83.471699 +100：￥69.562132 +500：￥61.378218 +1000：￥55.240282	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ G7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-2
IPT60R080G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF 下载数据手册未分类	+68：￥61.598762	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerSFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 80mOhm @ 9.7A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 490µA Supplier Device Package： PG-HSOF-8-2 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1640 pF @ 400 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPT60R080G7XTMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF 下载数据手册晶体管	+1：￥111.288239 +10：￥95.273193 +25：￥86.448574 +100：￥79.421562 +250：￥74.682416	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ G7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 29A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 9.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 490µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1640 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 167W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-2 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPT60R080G7XTMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥56.783364	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPT60R080G7XTMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ G7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	29A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	80 毫欧 9.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 490µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	42 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1640 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	167W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-HSOF-8-2
封装/外壳:	8-PowerSFN
温度:	-40°C # 150°C（TJ）