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IRLR3114ZTRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 42A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.9 毫欧 42A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3810 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 140W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D-Pak

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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IRLR3114ZTRPBF_未分类
IRLR3114ZTRPBF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

未分类

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 42A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.9 毫欧 42A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3810 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 140W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D-Pak

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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IRLR3114ZTRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 42A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.9 毫欧 42A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±16V

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功率耗散(最大值): 140W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

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IRLR3114ZTRPBF
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IRLR3114ZTRPBF BYCHIP/百域芯

未分类

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IRLR3114ZTRPBF
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品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 42A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.9 毫欧 42A,10V

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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3810 pF 25 V

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功率耗散(最大值): 140W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

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封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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品牌: Infineon Technologies

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系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 42A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

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系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 42A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.9 毫欧 42A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3810 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 140W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D-Pak

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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货期:7~10 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

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MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

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品牌: Infineon Technologies

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 42A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.9 毫欧 42A,10V

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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 4.5 V

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安装类型: 表面贴装型

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IRLR3114ZTRPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.9 毫欧 42A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3810 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 140W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D-Pak
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 175°C(TJ)