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	IRFP260PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥61.68096 +10：￥41.12064 +30：￥34.2672	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFP260PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.076537 +10：￥31.21921 +30：￥25.788357	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFP260PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3 下载数据手册未分类	+400：￥38.898465	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFP260PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3 下载数据手册未分类	+25：￥49.909207 +100：￥45.502742 +250：￥42.035533 +500：￥40.153337 +1000：￥39.316755	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFP260PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3 下载数据手册未分类	+25：￥34.614225 +75：￥34.296596 +250：￥33.97908 +500：￥33.661451 +1000：￥33.343935	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFP260PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥43.947845 +250：￥42.632087 +625：￥41.435682 +1000：￥39.74416	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFP260PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥68.639314 +10：￥57.997564 +100：￥49.377677 +500：￥41.81026 +1000：￥37.790092	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFP260PBF 授权代理品牌	IRFP260PBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥18.570042 +50：￥18.105718 +200：￥17.022529 +600：￥16.248888	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	IRFP260PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFP260PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.838196 +25：￥22.068098 +100：￥18.914789 +500：￥18.500506	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFP260PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	55 毫欧 28A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	230 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5200 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	280W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AC
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFP260PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3 下载数据手册未分类	+400：￥38.898465	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFP260PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3 下载数据手册未分类	+25：￥49.909207 +100：￥45.502742 +250：￥42.035533 +500：￥40.153337 +1000：￥39.316755	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFP260PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3 下载数据手册未分类	+25：￥34.614225 +75：￥34.296596 +250：￥33.97908 +500：￥33.661451 +1000：￥33.343935	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFP260PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥43.947845 +250：￥42.632087 +625：￥41.435682 +1000：￥39.74416	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFP260PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥68.639314 +10：￥57.997564 +100：￥49.377677 +500：￥41.81026 +1000：￥37.790092	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFP260PBF 授权代理品牌	IRFP260PBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥18.570042 +50：￥18.105718 +200：￥17.022529 +600：￥16.248888	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数