IRF7811AVTRPBF厂家价格_数据手册

搜索 IRF7811AVTRPBF 共 15 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7811AVTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.983199	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1801 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7811AVTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥54.7864	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1801 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7811AVTRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7811AVTRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.28629 +4000：￥1.211246 +12000：￥1.1791 +20000：￥1.125557	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7811AVTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥60.173348 +500：￥59.650101 +3000：￥59.126855 +5000：￥58.080362 +10000：￥56.510622	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1801 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7811AVTRPBF 授权代理品牌	IRF7811AVTRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.0649	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7811AVTRPBF 授权代理品牌	IRF7811AVTRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥4.709219 +20：￥4.591488 +200：￥4.316784 +4000：￥4.238297	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7811AVTRPBF 授权代理品牌	IRF7811AVTRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥0.986297 +500：￥0.910472 +2000：￥0.834532 +6000：￥0.758708	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7811AVTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1801 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7811AVTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1801 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7811AVTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1801 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7811AVTRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	14 毫欧 15A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	26 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1801 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7811AVTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥54.7864	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1801 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7811AVTRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7811AVTRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.28629 +4000：￥1.211246 +12000：￥1.1791 +20000：￥1.125557	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7811AVTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥60.173348 +500：￥59.650101 +3000：￥59.126855 +5000：￥58.080362 +10000：￥56.510622	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1801 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7811AVTRPBF 授权代理品牌	IRF7811AVTRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.0649	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7811AVTRPBF 授权代理品牌	IRF7811AVTRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥4.709219 +20：￥4.591488 +200：￥4.316784 +4000：￥4.238297	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7811AVTRPBF 授权代理品牌	IRF7811AVTRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥0.986297 +500：￥0.910472 +2000：￥0.834532 +6000：￥0.758708	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7811AVTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 15A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1801 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）