IPD60R280P7SAUMA1厂家价格_数据手册

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	IPD60R280P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥10.979298 +200：￥8.211423 +800：￥6.366173 +2500：￥4.613125 +5000：￥4.382499	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 190µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 761 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 53W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPD60R280P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.730889 +200：￥3.387454 +500：￥3.267254 +1000：￥3.20169	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 190µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 761 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 53W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPD60R280P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.38746	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 190µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 761 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 53W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPD60R280P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.539236 +100：￥4.622397 +1250：￥4.202179 +2500：￥3.883832 +37500：￥3.871098	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 190µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 761 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 53W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD60R280P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.005033 +5000：￥2.861939 +12500：￥2.729884	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 190µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 761 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 53W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPD60R280P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.351107 +5000：￥7.001062 +12500：￥6.678019	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 190µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 761 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 53W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPD60R280P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.716609 +10：￥14.544765 +100：￥11.310056 +500：￥9.586115 +1000：￥7.808882	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
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Mouser

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	IPD60R280P7SAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 下载数据手册晶体管	+1：￥20.255512 +10：￥16.661792 +100：￥12.937393 +500：￥10.960846 +1000：￥8.935295	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 190µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 761 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 53W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R280P7SAUMA1 授权代理品牌	P7 Power Transistor 下载数据手册未分类	+2500：￥6.329701	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD60R280P7SAUMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	280 毫欧 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 190µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	761 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	53W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-40°C # 150°C（TJ）